原厂代理SVF10N65F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管

SVF10N65F  TO-220F 10A/650V N沟道 场效应管 

N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面

高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产

品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动，LED驱动电源//特点

2A，600V，RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V  

 低栅较电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt 能力

N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子

的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工

艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、

优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。广泛应用于AC-DC开关电源，

DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动，LED驱动电源//特点

2A，600V，RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V  

 低栅较电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt 能力

产品技术参数:

 典型关断延迟时间 :       44 ns 

 典型接通延迟时间  :      14.5 ns 

 典型栅较电荷@Vgs  :     42 nC @ 10 V 

 典型输入电容值@Vds :     1180 pF @ 50 V 

 安装类型 :                通孔 

 宽度 :                    4.6mm 

 封装类型 :                TO-220FP