SVF12N65F
12A, 650V, RDS(on)(典型值) =0.8Ω@VGS=10V
低栅较电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了 dv/dt 能力
SVF12N65F描述
SVF12N65F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
**的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
SVF12N65F可广泛应用于 AC-DC 开关电源, DC-DC 电源转换器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。
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